擁抱A股，中芯國(guó)際的量產(chǎn)突圍

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舉報(bào) 2020-06-09

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6月1日晚，中芯國(guó)際科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)正式獲得上交所受理，計(jì)劃募集資金200億元。

據(jù)中芯國(guó)際招股書披露，這次科創(chuàng)板上市募集的資金，80億元將投入中芯國(guó)際旗下的中芯南方公司（中芯南方集成電路制造有限公司）正在進(jìn)行的12英寸芯片SN1項(xiàng)目，占此次募集資金的40%。

此前不久，國(guó)家集成電路基金會(huì)聯(lián)合多方機(jī)構(gòu)向中芯國(guó)際注資213億元，和這次科創(chuàng)板上市募集的資金共達(dá)413億元。此次中芯國(guó)際大量募集資金，是在中美貿(mào)易摩擦升級(jí)的背景下進(jìn)行，其重要意義不言而喻。

在半導(dǎo)體行業(yè)，技術(shù)一直是引領(lǐng)企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。晶圓代工技術(shù)研發(fā)的進(jìn)步，需要大量資金投入。但半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程，中芯國(guó)際目前的技術(shù)水平還略微落后，想要追趕國(guó)際尖端水平，就需要厚積薄發(fā)。

回歸A股，意在追趕先進(jìn)制程工藝

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的芯片制造與設(shè)計(jì)技術(shù)，主要體現(xiàn)在加工設(shè)備、加工工藝、封裝測(cè)試、批量試產(chǎn)及設(shè)計(jì)創(chuàng)新能力上。

目前，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的集成芯片代工企業(yè)就是中芯國(guó)際，其主要業(yè)務(wù)包括14納米到0.35微米的芯片代工與技術(shù)服務(wù)。其中，集成電路的晶圓代工業(yè)務(wù)是中芯國(guó)際的營(yíng)收核心，占2019年業(yè)務(wù)收入的93.12%。

這次中芯國(guó)際在科創(chuàng)板上市，募集資金主要還是用于晶圓代工先進(jìn)工藝的研發(fā)。中芯國(guó)際計(jì)劃投入80億資金的SN1項(xiàng)目，主要用于生產(chǎn)14nm及更高制程工藝的集成電路芯片。而在中芯國(guó)際加快研發(fā)腳步的背后，也不可避免的受到來(lái)自中美貿(mào)易摩擦升級(jí)的影響。

中美貿(mào)易摩擦升級(jí)的情況下，中芯國(guó)際可能會(huì)在生產(chǎn)、訂單方面受到影響。因此，中芯國(guó)際加大了研發(fā)力度也在情理之中。

中芯國(guó)際的14nm晶圓代工技術(shù)，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工技術(shù)水平。但與業(yè)內(nèi)最高技術(shù)水平相比，中芯國(guó)際的制程工藝上至少還存在兩代的技術(shù)差距。而要想縮小這個(gè)差距，就需要借助雄厚的資本，這正是此次上市融資的原因。

納米制程工藝的節(jié)點(diǎn)代數(shù)，是指晶體管源極和漏極所連接的半導(dǎo)體材料的距離。例如7nm制程工藝，是指晶體管源極和漏極之間的線寬為7納米。

摩爾定律提到，集成線路上可容納的元器件數(shù)目每提升一倍，性能也會(huì)提升一倍。按照摩爾定論，納米制程工藝越低，柵極的線寬越小，集成電路上可容納的原件數(shù)目也就越多，其性能也就更優(yōu)越，所以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的頂部企業(yè)都在向高端技術(shù)發(fā)展。

對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品制造企業(yè)來(lái)說(shuō)，制程工藝的節(jié)點(diǎn)代數(shù)就代表了企業(yè)晶圓技術(shù)的研發(fā)實(shí)力。目前，業(yè)內(nèi)可以量產(chǎn)的最高制程工藝是臺(tái)積的5nm制程工藝，中芯國(guó)際量產(chǎn)制程芯片工藝是14nm。在16nm及更高制程工藝上，臺(tái)積電有12nm、10nm、7nm制程工藝，中芯國(guó)際16nm以上制程工藝僅有14nm。

可以看出，中芯國(guó)際的制程工藝和臺(tái)積電相比還有較大差距。這樣的技術(shù)差距下，中芯國(guó)際所承受的科研壓力可想而知。

而在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)中，中芯國(guó)際在納米制程研發(fā)中投入的費(fèi)用是最多的，2018年中芯國(guó)際研發(fā)費(fèi)用為45億元，占營(yíng)業(yè)收入的19%；2019年投入47億元，營(yíng)業(yè)收入占比22%。除此之外，中芯國(guó)際每年研發(fā)費(fèi)用的投入占比還在提升。

傾力研發(fā)之下，中芯國(guó)際的14nm制程工藝終于在2019年投入量產(chǎn)，并且良率達(dá)到了95%。不過(guò)，晶圓產(chǎn)能提升緩慢的問(wèn)題，仍一直困擾著中芯國(guó)際。

晶圓產(chǎn)能是道難題

據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，2019年中芯國(guó)際平均每月出貨量為20.5萬(wàn)片，而臺(tái)積電平均月產(chǎn)量為108.3萬(wàn)片。2019年，中芯國(guó)際共生產(chǎn)芯片515.3萬(wàn)片，臺(tái)積電為1010萬(wàn)片。

月均出貨量數(shù)據(jù)對(duì)比上，臺(tái)積電的產(chǎn)量將近中芯國(guó)際的5倍；年度產(chǎn)量數(shù)據(jù)，臺(tái)積電產(chǎn)量約為中芯國(guó)際的2倍。而在中芯國(guó)際早就成熟的28nm制程工藝上，良率上也一直未有很大突破。

中芯國(guó)際和臺(tái)積電晶圓產(chǎn)能上的差距，歸根結(jié)底還是技術(shù)上的差距。不過(guò)，臺(tái)積電畢竟是行業(yè)領(lǐng)頭羊，中芯國(guó)際各方面數(shù)據(jù)遜色也在情理之中。

晶圓制程技術(shù)的差距，也反映在高端產(chǎn)品在總收入占比上。2020年Q1財(cái)報(bào)，臺(tái)積電7nm制程工藝出貨量占總收入的35%，16nm及更高工藝水平工藝占總收入的55%。而中芯國(guó)際僅有14nm的制程工藝高于16nm，總收入占比僅為1.3%，仍存在較大差距。

顯然，和中芯國(guó)際相比較，臺(tái)積電的晶圓制程技術(shù)在產(chǎn)能上更具有優(yōu)勢(shì)。2019年，臺(tái)積電營(yíng)收2470億元，16nm及更高制程工藝創(chuàng)造營(yíng)收為1358億元，而中芯國(guó)際僅為2.86億元。從臺(tái)積電和中芯國(guó)際16nm及更高制程工藝營(yíng)收對(duì)比中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)造收益的特性表現(xiàn)得淋漓盡致。

在技術(shù)研發(fā)上，產(chǎn)能提升也是中芯國(guó)際必須渡過(guò)的一個(gè)難關(guān)。而晶圓代工技術(shù)的進(jìn)步，需要大量的高端技術(shù)人才和長(zhǎng)期實(shí)踐積累，短時(shí)間內(nèi)很難有所突破。突破技術(shù)研發(fā)提升量產(chǎn)規(guī)模，才有希望抓住時(shí)機(jī)、沖破限制，這正是當(dāng)前上市的另一層含義。

而在逼近摩爾定律極限的3nm制程工藝后，納米制程工藝會(huì)進(jìn)入技術(shù)瓶頸，這段時(shí)間會(huì)成為中芯國(guó)際技術(shù)突圍的最佳時(shí)期。

3nm成最佳突圍契機(jī)

在納米制程工藝中，更高的制程工藝也意味著芯片上的晶體管更加集中，而晶體管過(guò)于集中會(huì)導(dǎo)致晶體管源極和漏極的溝道縮短，晶體管柵極的電流不能從源極流向漏極，更容易引發(fā)量子隧穿效應(yīng)，從而使邏輯電路失效。

據(jù)業(yè)內(nèi)說(shuō)法，目前納米制程工藝的極限在3nm。超過(guò)3nm后，量子效應(yīng)會(huì)使晶體管失去開(kāi)關(guān)的作用，進(jìn)而使邏輯電路失效。聯(lián)發(fā)科董事長(zhǎng)蔡明介表示，3nm之后研發(fā)將會(huì)遇到極大的困難，預(yù)計(jì)會(huì)在2025年遇到技術(shù)瓶頸。

在3nm之后晶圓制程工藝的研發(fā)上，各企業(yè)將會(huì)停滯較長(zhǎng)一段時(shí)間。而這段時(shí)間，將會(huì)是中芯國(guó)際追趕國(guó)際晶圓制程工藝水平的機(jī)會(huì)。

此次中芯國(guó)際在科創(chuàng)板上市，目的就在于加快晶圓代工技術(shù)的研發(fā)腳步，力求在3nm極限制程工藝的機(jī)遇下追上國(guó)際半導(dǎo)體尖端水平。不過(guò)，晶圓制程工藝的技術(shù)進(jìn)步是一個(gè)積累的的過(guò)程，中芯國(guó)際想要在3nm制程工藝的瓶頸期追上國(guó)際水平，仍面臨很大的壓力。

作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際背負(fù)著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)突圍的希望。雖然前路艱難，但中芯國(guó)際仍必須負(fù)重前行，畢竟作為國(guó)內(nèi)最高技術(shù)水平的代表，中芯國(guó)際已經(jīng)退無(wú)可退。

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